มีสิ้นค้า: 50462
เราเป็นผู้จัดจำหน่ายของ SI3459BDV-T1-GE3 ในราคาที่แข่งขันได้มากตรวจสอบ SI3459BDV-T1-GE3 ใหม่ล่าสุด Pirce, สินค้าคงคลังและเวลารอคอยตอนนี้โดยใช้แบบฟอร์ม RFQ ด่วนความมุ่งมั่นของเราต่อคุณภาพและความถูกต้องของ SI3459BDV-T1-GE3 นั้นไม่เปลี่ยนแปลงและเราได้ดำเนินการตรวจสอบคุณภาพและกระบวนการจัดส่งที่เข้มงวดเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสมบูรณ์ของ SI3459BDV-T1-GE3นอกจากนี้คุณยังสามารถค้นหาข้อมูล SI3459BDV-T1-GE3 ได้ที่นี่
บรรจุภัณฑ์มาตรฐานส่วนประกอบวงจรรวม SI3459BDV-T1-GE3
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด) | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-TSOP |
ชุด | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ชื่ออื่น | SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 33 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 350pF @ 30V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12nC @ 10V |
ประเภท FET | P-Channel |
คุณสมบัติ FET | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V |
คำอธิบายโดยละเอียด | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.9A (Tc) |