การทำเครื่องหมายฉลากและตัวถังของ SI4876DY-T1-GE3 สามารถให้ได้หลังจากสั่งซื้อ
มีสิ้นค้า: 50773
เราเป็นผู้จัดจำหน่ายของ SI4876DY-T1-GE3 ในราคาที่แข่งขันได้มากตรวจสอบ SI4876DY-T1-GE3 ใหม่ล่าสุด Pirce, สินค้าคงคลังและเวลารอคอยตอนนี้โดยใช้แบบฟอร์ม RFQ ด่วนความมุ่งมั่นของเราต่อคุณภาพและความถูกต้องของ SI4876DY-T1-GE3 นั้นไม่เปลี่ยนแปลงและเราได้ดำเนินการตรวจสอบคุณภาพและกระบวนการจัดส่งที่เข้มงวดเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสมบูรณ์ของ SI4876DY-T1-GE3นอกจากนี้คุณยังสามารถค้นหาข้อมูล SI4876DY-T1-GE3 ได้ที่นี่
บรรจุภัณฑ์มาตรฐานส่วนประกอบวงจรรวม SI4876DY-T1-GE3
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
---|---|
Vgs (สูงสุด) | ±12V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SO |
ชุด | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 21A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.6W (Ta) |
บรรจุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
ประเภท FET | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Ta) |