มีสิ้นค้า: 59444
เราเป็นผู้จัดจำหน่ายของ SIDR626DP-T1-GE3 ในราคาที่แข่งขันได้มากตรวจสอบ SIDR626DP-T1-GE3 ใหม่ล่าสุด Pirce, สินค้าคงคลังและเวลารอคอยตอนนี้โดยใช้แบบฟอร์ม RFQ ด่วนความมุ่งมั่นของเราต่อคุณภาพและความถูกต้องของ SIDR626DP-T1-GE3 นั้นไม่เปลี่ยนแปลงและเราได้ดำเนินการตรวจสอบคุณภาพและกระบวนการจัดส่งที่เข้มงวดเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสมบูรณ์ของ SIDR626DP-T1-GE3นอกจากนี้คุณยังสามารถค้นหาข้อมูล SIDR626DP-T1-GE3 ได้ที่นี่
บรรจุภัณฑ์มาตรฐานส่วนประกอบวงจรรวม SIDR626DP-T1-GE3
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด) | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8DC |
ชุด | TrenchFET® Gen IV |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์ | Original-Reel® |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 |
ชื่ออื่น | SIDR626DP-T1-GE3DKR |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 32 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5130pF @ 30V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 102nC @ 10V |
ประเภท FET | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 60V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 42.8A (Ta), 100A (Tc) |