การทำเครื่องหมายฉลากและตัวถังของ PMV130ENEA/DG/B2R สามารถให้ได้หลังจากสั่งซื้อ
มีสิ้นค้า: 53140
เราเป็นผู้จัดจำหน่ายของ PMV130ENEA/DG/B2R ในราคาที่แข่งขันได้มากตรวจสอบ PMV130ENEA/DG/B2R ใหม่ล่าสุด Pirce, สินค้าคงคลังและเวลารอคอยตอนนี้โดยใช้แบบฟอร์ม RFQ ด่วนความมุ่งมั่นของเราต่อคุณภาพและความถูกต้องของ PMV130ENEA/DG/B2R นั้นไม่เปลี่ยนแปลงและเราได้ดำเนินการตรวจสอบคุณภาพและกระบวนการจัดส่งที่เข้มงวดเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสมบูรณ์ของ PMV130ENEA/DG/B2Rนอกจากนี้คุณยังสามารถค้นหาข้อมูล PMV130ENEA/DG/B2R ได้ที่นี่
บรรจุภัณฑ์มาตรฐานส่วนประกอบวงจรรวม PMV130ENEA/DG/B2R
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด) | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-236AB |
ชุด | Automotive, AEC-Q101 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 5W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ชื่ออื่น | 934068781215 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 170pF @ 20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.6nC @ 10V |
ประเภท FET | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40V |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 40V 2.1A (Ta) 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.1A (Ta) |